来源网络以下是一些半导体行业常用的术语缩写及其含义：
1. "IC" - Integrated Circuit，集成电路
2. "DRAM" - Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器
3. "SRAM" - Static Random Access Memory，静态随机存取存储器
4. "NAND" - NAND Flash，NAND型闪存
5. "Flash" - Flash Memory，闪存
6. "CMOS" - Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体
7. "CPU" - Central Processing Unit，中央处理器
8. "GPU" - Graphics Processing Unit，图形处理器
9. "FPGA" - Field-Programmable Gate Array，现场可编程门阵列
10. "ASIC" - Application-Specific Integrated Circuit，专用集成电路
11. "EDA" - Electronic Design Automation，电子设计自动化
12. "TSMC" - Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，台湾半导体制造公司
13. "UMC" - United Microelectronics Corporation，联华电子
14. "SMIC" - Semiconductor Manufacturing International Corporation，中芯国际
15. "SOI" - Silicon On Insulator，绝缘体上硅
16. "FinFET" - Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管
17. "3D NAND" - Three-dimensional NAND，三维NAND闪存
18. "MEMS" -
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作为半导体行业新人来说，最痛苦的莫过于各种缩写词术语了，有的缩写词一样但是会有不同的解释。这里作者给大家整理了部分术语词典，后面会按照更新顺序一一分享出来。
废话不多说，直接开始，如有遗漏，欢迎大家在评论区或者私信补充，作者会在后面单开一篇来补充：
06—
F-开头缩写
| 缩写 | 英文全称 | 中文解释 | 技术说明 |
FA | Failure Analysis | 失效分析 | FIB切片定位缺陷，分辨率±5nm，定位时间<2小时 |
FAB | Fabrication | 晶圆制造 | 全流程生产（光刻/刻蚀/沉积），洁净度Class 1 |
FDC | Fault Detection and Classification | 故障检测与分类 | AI分析等离子体光谱，预测设备异常（提前>4小时） |
FD-SOI | Fully Depleted SOI | 全耗尽绝缘体上硅 | 超薄硅层（<10nm），漏电流降低100倍，用于低功耗芯片 |
FEM | Focus Energy Matrix | 焦距能量矩阵 | 光刻窗口优化方法（曝光能量/焦距组合） |
FEOL | Front End Of Line | 前道工艺 | 晶体管制造（栅极/源漏），包含离子注入/退火 |
FFT | Fast Fourier Transform | 快速傅里叶变换 | 信号处理核心算法（用于EBI缺陷识别） |
FG | Floating Gate | 浮栅 | 闪存存储单元核心结构，电子保持时间>10年 |
FIB | Focused Ion Beam | 聚焦离子束 | 纳米级切割/成像（精度±2nm），用于电路编辑和失效分析 |
FIFO | First In First Out | 先进先出 | 晶圆队列管理策略，减少Q-time超限风险 |
FinFET | Fin Field-Effect Transistor | 鳍式场效应晶体管 | 3D沟道结构（鳍片），22nm-5nm节点主流技术，抑制短沟道效应 |
FLASH | Flash Memory | 闪存 | NAND/ NOR架构，3D NAND堆叠层数>200 |
FM | Ferroelectric Memory | 铁电存储器 | 极化翻转速度<1ns，耐久性>10¹⁰次 |
FMEA | Failure Mode and Effects Analysis | 失效模式与影响分析 | 工艺风险评估工具（如等离子体不稳定导致刻蚀不均） |
FN | Fowler-Nordheim | 福勒-诺德海姆隧穿 | 电子隧穿栅氧层机制（用于EEPROM编程） |
FOUP | Front-Opening Unified Pod | 前开式晶圆传送盒 | Class 1洁净度容器，存储/传送300mm晶圆 |
FOWLP | Fan-Out Wafer Level Packaging | 扇出型晶圆级封装 | 芯片嵌入环氧树脂→RDL布线→植球，I/O密度>500/mm² |
FPD | Flat Panel Display | 平板显示 | LTPS背板工艺，迁移率>100cm²/V·s |
FPY | First Pass Yield | 首次通过良率 | 晶圆流片首次测试良率，先进节点目标>95% |
FRAM | Ferroelectric RAM | 铁电随机存储器 | 同FM，读写能耗<1pJ/bit |
FSA | Full Sheet Annealing | 整片退火 | 快速热退火（RTA）变体，温度均匀性±1℃@1100℃ |
FSI | Full Slice Imaging | 全切片成像 | 3D芯片无损检测（分辨率<200nm） |
FSM | Finite State Machine | 有限状态机 | 设备控制系统核心逻辑（如光刻机顺序控制） |
FSP | Fused Silica Plate | 熔融石英板 | 光刻掩模基材，热膨胀系数<0.01ppm/℃ |
FT | Final Test | 成品测试 | 芯片封装后电性测试，覆盖率>99% |
FTIR | Fourier Transform Infrared Spectroscopy | 傅里叶变换红外光谱 | 分析薄膜成分（如SiO₂中OH基含量），精度±0.1% |
FTS | Fast Thermal Spike | 快速热尖峰退火 | 毫秒级退火（>1300℃），激活掺杂原子并抑制扩散 |
FVM | Free Volume Model | 自由体积模型 | 预测Low-k材料机械强度（与孔隙率关联） |
FWHM | Full Width at Half Maximum | 半高宽 | 光谱/峰形分析参数（如离子注入能量分布） |
FZ | Float Zone | 悬浮区熔法 | 超高纯单晶硅制备（杂质<0.1ppb），用于功率器件 |
FBE | Fixed Beam Exposure | 固定束曝光 | 电子束光刻模式，吞吐量>5片/天 |
FIC | Film Integrated Circuit | 薄膜集成电路 | 柔性电子工艺，基底厚度<10μm |
FKM | Fluoroelastomer | 氟橡胶 | 真空密封材料，耐等离子体腐蚀>1000小时 |
FL | Field Layer | 场区层 | LOCOS隔离技术核心，厚度>500nm |
FLA | Flash Lamp Annealing | 闪光灯退火 | 毫秒级热处理（>1000℃），消除离子注入损伤 |
FMEA | Failure Mode and Effects Analysis | 失效模式与影响分析 | 工艺风险评估工具（如等离子体不稳定导致刻蚀不均） |
FOM | Figure of Merit | 品质因数 | 器件综合指标（如功率放大器PAE>60%） |
FPD | Flat Panel Display | 平板显示 | LTPS背板工艺，迁移率>100cm²/V·s |
FQC | Final Quality Control | 最终质量控制 | 出货前全检（包含EL测试/外观检查） |
FRS | Free Reticle Storage | 掩模版自由存储系统 | AMHS子系统，存储容量>5000片，取放时间<30秒 |
FSE | Fast Secondary Electron | 快速二次电子 | SEM成像模式，表面敏感性高 |
FSP | Focused Spot Profiler | 聚焦点轮廓仪 | 测量光刻机焦平面，精度±0.01μm |
FST | Film Stress Test | 薄膜应力测试 | 晶圆曲率法测量应力，精度±10MPa |
FSW | Front Side Wafer | 正面晶圆 | 器件制造面（与背面工艺BSW区分） |
FTIR | Fourier Transform Infrared Spectroscopy | 傅里叶变换红外光谱 | 分析薄膜成分（如SiO₂中OH基含量），精度±0.1% |
FVM | Free Volume Model | 自由体积模型 | 预测Low-k材料机械强度（与孔隙率关联） |
| 缩写 | 英文全称 | 中文解释 | 技术说明 |
| GAA | Gate-All-Around | 全环绕栅极 | 纳米线/纳米片沟道（Nanosheet），取代FinFET，用于3nm及以下节点 |
| GaAs | Gallium Arsenide | 砷化镓 | 高频材料（电子迁移率>5000 cm²/V·s），用于5G射频芯片 |
| GaN | Gallium Nitride | 氮化镓 | 宽禁带半导体（3.4eV），耐压>650V，用于快充/5G基站 |
| GBD | Grain Boundary Defect | 晶界缺陷 | 多晶硅栅极关键问题，导致漏电增加，需退火优化 |
| GCI | Gas Cluster Ion | 气体团簇离子 | 表面平坦化技术，团簇尺寸>1000原子，粗糙度<0.2nm |
| GDS | Gas Delivery System | 气体输送系统 | VMB（气体阀箱）核心，流量精度±0.5% sccm |
| Ge | Germanium | 锗 | 高迁移率沟道材料（空穴迁移率>1900 cm²/V·s），用于PMOS优化 |
| GEM | Generic Equipment Model | 通用设备模型 | SECS/GEM协议实现设备自动化控制 |
| GIDL | Gate-Induced Drain Leakage | 栅致漏极泄漏 | 高电场下栅漏重叠区载流子隧穿，导致待机电流增加 |
| GIXRD | Grazing Incidence X-ray Diffraction | 掠入射X射线衍射 | 超薄膜分析（厚度<5nm），分辨率0.01nm |
| GLS | Gate Last Structure | 后栅极结构 | High-k金属栅集成工艺，减少热预算 |
| GM | Gain Margin | 增益裕度 | 工艺控制稳定性指标（如CMP压力反馈系统） |
| GMR | Giant Magneto Resistance | 巨磁阻 | 磁阻变化率>100%，用于高灵敏度磁传感器 |
| GOI | Gate Oxide Integrity | 栅氧完整性 | TDDB测试关键参数，失效电场>15MV/cm |
| GPC | Gas Phase Cleaning | 气相清洗 | HF/IPA混合蒸汽清洗，替代湿法工艺 |
| GPM | Giga Patterning Machine | 千兆级图形化设备 | 多电子束直写系统，吞吐量>10片/小时（5nm节点） |
| GR | Gettering Region | 吸杂区 | 晶圆背面掺磷/损伤层，捕获金属杂质（效率>99%） |
| GS | Ground Shield | 接地屏蔽 | 射频器件抗干扰设计，隔离度>60dB |
| GST | GeSbTe | 锗锑碲相变材料 | 相变存储器核心，电阻比>1000，编程速度<10ns |
| GTO | Gate Turn-Off Thyristor | 门极可关断晶闸管 | 功率器件，关断时间<2μs，耐压>6kV |
| GUI | Graphical User Interface | 图形用户界面 | 设备操作软件交互系统 |
| GVM | Gas Vapor Mixture | 气体蒸汽混合 | 超临界清洗技术（如CO₂/H₂O），去除纳米级污染物 |
| GW | Global Wafer | 环球晶圆 | 硅片供应商品牌（300mm晶圆市占率>15%） |
| GZO | Gallium Zinc Oxide | 镓锌氧化物 | 透明导电薄膜，电阻率<10⁻³ Ω·cm，用于显示电极 |
| GAA-CFET | Gate-All-Around CFET | 全环绕互补场效应管 | NMOS/PMOS垂直集成，密度再提升2倍，1nm节点候选技术 |
原创声明： 本文综合公开资料梳理，转载需授权。
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